РК1

Интегральная микросхема. Элемент ИМС, компонент ИМС, контактная площадка ИМС.
Интегральная микросхема. Корпус ИМС, подложка ИМС, кристалл ИМС, бескорпусная микросхема.
Классификация ИМС по технологическому методу изготовления и конструктивным особенностям.
Параметры, характеризующие сложность ИМС.
методы получения бездефектных монокристаллов кремния
Особенности организации технологии полупроводникового производства.
Понятие технологической совместимости. ( Пример)
Технологическая совместимость структур транзистора и диффузионного резистора.
Технологическая совместимость структур транзистора и МОП-конденсатора.
Топология микросхемы. Общая топология и послойная топология.
Базовый матричный кристалл.
Основные этапы обработки полупроводниковых пластин (от слитка к полированной пластине).
Эпитаксия. Преимущества, которые дает применение метода в производстве ИМС.
Методы легирования полупроводников.
Диффузия, энергия активации диффузии.
Механизм диффузии в реальных кристаллах.
Распределение примеси при диффузии из неограниченного источника примеси
распределение примеси при диффузии из ограниченного источника
Понятие двухстадийной диффузии примеси
15

Приложенные файлы

  • doc 25043980
    Размер файла: 22 kB Загрузок: 0

Добавить комментарий