Присакар Курсова 3 2003

ОГЛЯД
літератури на тему:
ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ ШВИДКОСТІ ВИРОЩУВАННЯ ТЕРМОЕЛЕКТРИЧНОГО МАТЕРІАЛУ НА ОСНОВІ Bi2Te3 НА ЙОГО ПАРАМЕТРИ

Вступ
В наш час в якості матеріалів для термоелектричних охолоджуючих пристроїв і термогенераторів, працюючих в області низьких температур (100-600 К), використовуються тверді розчини систем Bi2Te3 – Bi2Se3 і Bi2Te3 – Sb2Te3 [1].
Серед халькогенідів, які являються компонентами цих твердих розчинів, найбільш детально вивчений телурид вісмуту. Це пояснюється рядом причин: по перше, телурид вісмуту має достатньо великі термоелектричні параметри і широко використовується в термоелектриці. По друге, шляхом легування його можна отримати як n- так і p-типа провідності і при цьому його можна легко і багатьма способами приготувати у вигляді монокристалів.
Для отримання монокристалів на основі Bi2Te3 з високими термоелектричними властивостями, необхідно підібрати максимальні умови при їх вирощуванні.
Термоелектричні матеріали характеризуються такими параметрами як питомою електропровідністю (
·), коефіцієнта термо е. р. с. (
·), коефіцієнтом теплопровідності (
·), питомою термоелектричною потужністю (
·2
·), а також термоелектричною добротністю (Z =
·2
·/
·). Ці параметри можна підвищити за рахунок зміни багатьох факторів: швидкості росту (
·), температури, легуванням різними домішками, зміни ширини розплавленої зони, зміни градієнта температур (G) в розплаві на фронті кристалізації і т.д.

1. Залежність термоелектричної ефективності від основних фізичних параметрах

Термоелектрична ефективність Ві2Те3 і твердих розчинів на його основі залежить від ряду причин, зв’язаних як зі складом цих матеріалів, так і з їх технологією. Розглянемо окремо залежність термоелектричної ефективності матеріалів зі сприятливою структурою і високою степеню однорідності від складу і вплив на величину 13 QUOTE 1415 (добротність термоелектричного матеріалу) технологічних факторів.
Фізичні параметри гілок термоелементів входять до формули, що визначає основні характеристики термоелектричних пристроїв, у вигляді узагальненого безрозмірного параметра 13 QUOTE 1415 (критерій Іоффе):
13 QUOTE 1415 , (1)
де 13 QUOTE 1415 – ефективність термоелемента, індекси n і p відносяться до n- і p- виткам. Наприклад, максимальний перепад температури на термоелементі при відсутності потоку тепла на холодний спай 13 QUOTE 1415, максимальний холодильний коефіцієнт 13 QUOTE 1415 (відношення теплової потужності, яка поглинається холодним спаєм, до електричної потужності яка споживається термоелементом) і максимальний к. к. д. термоелемента в термогенераторі 13 QUOTE 1415 визначається виразом:

13 QUOTE 1415 , (2)

13 QUOTE 1415 , (3)

13 QUOTE 1415 , (4)

де 13 QUOTE 1415 – середня температура термоелемента; 13 QUOTE 1415 – перепад температури на термоелементі. Ці максимальні значення досягаються при певному співвідношенню розмірів витків термоелемента та оптимальних значеннях струмів через термоелемент і опору навантаження (в термогенераторі). Теплотехнічні характеристики термоелектричних пристроїв покращуються при підвищені 13 QUOTE 1415.
При виготовлені термоелектричних матеріалів необхідно оцінити якість n- і p- витків окремо. Критерієм для такої оцінки служить ефективність термоелектричних матеріалів 13 QUOTE 1415, яке рівне

13 QUOTE 1415 , (5)

Якщо значення 13 QUOTE 1415 для n- і p- витків не дуже відрізняються, то

13 QUOTE 1415 , (6)

Якість термоелектричних матеріалів тим вища, чим вище 13 QUOTE 1415.
Вирази (1-6) справедливі при умові, що термоелектричні властивості не сильно відрізняються в робочому інтервалі температур. Якщо ці умови не виконуються то теплотехнічні властивості обчислюють, застосовуючи різні методи усереднення, найчастіше, к. к. д. термоелемента може бути наближено обчисленим за формулою[2]

13 QUOTE 1415 , (7)

тут 13 QUOTE 1415 - к. к. д. n- і p- витків, який дорівнює

13 QUOTE 1415 , (8)

де 13 QUOTE 1415 і 13 QUOTE 1415 – температури холодного і гарячого спая термоелемента.
Для оцінки термоелектричних матеріалів в широкому інтервалі температур використовується середнє значення 13 QUOTE 1415 або обчислюють к. к. д. виток по формулі (8).

2. Підвищення добротності термоелектричних матеріалів методом легування

В ранніх розробках низькотемпературних термоелектричних пристроях використовувались виткі термоелементів з напівпровідникових з’єднань і металічних сплавів. Значення 13 QUOTE 1415 найкращих з цих матеріалів і термоелементів на їх основі при кімнатній температурі наведені в таблиці 1.

Таблиця 1.
Значення 13 QUOTE 1415 напівпровідникових з'єднань і термоелементів на їх основі при 300 К [3]

Матеріали
p- типу

Матеріали
n- типу

Термоелементи


ZnSb
PbTe
PbSe
Sb2Te3
Bi2Te3
0.3
0.36
0.36
0.36
0.54
Ag2Te [4]
PbTe
Ag2Se [4]
Bi2Te3
Bi2Te3 [5]
0.36
0.45
0.69
0.69
0.79
Хромель – копель
Bi – Sb
91ат.%Bi+9ат.%Sb – Sb
ZnS – константан
n- PbTe - p- PbTe
n- Bi2Te3 – p-Bi2Te3
0.03
0.054

0.069
0.15
0.39

0.6


Значне збільшення термоелектричної ефективності отримав Шмєлєв [3] в системі p- (BiSb)2Te3 і Сінані та інші [4, 5] в системі n- Bi2(TeSe)3. В цих твердих розчинах в співвідношенні з ідеєю Іоффе теплопровідність решітки значно знижується в порівнянні з теплопровідністю компонентів (халькогенідів вісмуту і сурми).
Як показали пізніші дослідження [6], основною причиною росту термоелектричної ефективності при введенні селену в телурид вісмуту являється розширення забороненої зони, яка подавлює власну провідність (в телуриді вісмуту власна провідність знижує величину 13 QUOTE 1415 при 300 К на 12%). Разом з цим перехід від телуриду вісмуту до твердого розчина n- Bi2Te3-xSex супроводжується при малих значеннях 13 QUOTE 1415 більш різким зниженням 13 QUOTE 1415 чим зниження параметра 13 QUOTE 1415, в результаті чого величина 13 QUOTE 1415 має максимум при 13 QUOTE 1415. Це видно з таблиці 2, в якій крім значення 13 QUOTE 1415 приведено також найбільше значення 13 QUOTE 1415 для твердих рос творах n - Bi2Te3-xSex і співпадаючи їм величини електропровідності і коефіцієнта термо - е. р. с.

Таблиця 2.
Значення 13 QUOTE 1415 для твердих розчинів n- Bi2Te3-xSex при 300 К







0
0.12
0.3
0.6
200
210
225
220
1300
1120
900
800
0.33
0.36
0.35
0.26
0.78
0.87
0.9
0.72


Зменшення 13 QUOTE 1415 при зменшенні 13 QUOTE 1415 від 0.3 до 0 пояснюється підсиленою необхідністю подавити власну провідність за рахунок збільшення концентрації електронів. Максимальне значення 13 QUOTE 1415 досягається при 13 QUOTE 1415.
На рис.1. показано залежність 13 QUOTE 1415 і 13 QUOTE 1415 від коефіцієнта термо – е. р. с. для телуриду вісмуту і твердих розчинів n- Bi2Te3-xSex при 300 К [6].



Рис. 1. Залежність 13 QUOTE 1415 і 13 QUOTE 1415 від
· в
n- Bi2Te3-xSex

За даними [7, 8] в системі твердих розчинів p – (BiSb)2Te3 найбільшу величину 13 QUOTE 1415 має склад p – Bi0.5Sb1.5Te3, вирощених з розплаву, який містить 2.5 ат. % надлишкового телуру. Телур вводиться для компенсації акцепторної дії надлишку сурми, що утворюється через зміщення стехіометрії.




Рис.2. Залежність
·р (а) і 13 QUOTE 1415 (б) від
· в p – Bi0.5Sb1.5Te3-xSex




Надлишок телуру не розчиняється повністю в матеріалі, а виділяється у вигляді другої фази, що відтісняється при спрямованій кристалізації до кінця злитка або виділяється в середині зерен і на границях зерен і блоків.
В p – Bi0.5Sb1.5Te3 величини 13 QUOTE 1415 і
·р помітно змінюються із зміною концентрації носіїв [9]. Це видно на рис. 2. а). Максимум на кривій 13 QUOTE 1415 при x=0 пояснюється розсіюванням дірок на домішкових центрах при малих значеннях
·, і дією власною провідністю при великих
·. Залежність
·р від коефіцієнта термо. е. р. с. при x=0 на рис. 2. а) пояснюється діями цих же факторів [9].
Власна провідність зміщує максимум термоелектричної ефективності p – Bi0.5Sb1.5Te3 в сторону великих концентрацій дірок відносно оптимальної концентрації для однозонної моделі, розглянуту в пункті 1.значення
·опт p – Bi0.5Sb1.5Te3 при кімнатній температурі дорівнює 200 мкВ/К замість
·опт = 240 мкВ/К для однозонної моделі (рис. 2. б).
В якості термоелектричних матеріалів р – типу для охолоджуючих пристроїв знаходять застосування тверді розчини, близькі по складу до p – Bi0.5Sb1.5Te3, в яких частина атомів телуру заміщена селеном [10]. В цих твердих розчинах зміщення стехіометрії в сторону надлишку сурми, характерне для p – Bi0.5Sb1.5Te3, зменшується, однак при невеликій концентрації селену для отримання оптимальної концентрації дірок в розплаві, вводять надлишок телуру. Утворювана при цьому друга фаза складається в основному із надлишкового телуру, так як селен витісняє телур з кристалічної решітки.
На відмінно від p – Bi0.5Sb1.5Te3 в твердих розчинах p – Bi0.5Sb1.5Te3.4Se0.6 величина 13 QUOTE 1415 слабо залежить від концентрації дірок. Мабуть вплив заряджених центрів на рухомість в цьому розчині проявляється в меншій степені на фоні розсіяння дірок діями атомів селену. Зниження 13 QUOTE 1415 через власну провідність в твердих розчинах з селеном не спостерігається, що зв’язано з збільшенням співвідношення 13 QUOTE 1415. Так як в p – Bi0.5Sb1.5Te3
·р лінійно зростає при збільшення
· через пониження концентрації заряджених центрів, однак вплив власної провідності на
·р в твердих розчинах з селеном на відмінно від p – Bi0.5Sb1.5Te3 відсутня навіть при великих значеннях
·.



Рис. 3. Залежність 13 QUOTE 1415,
·р (а) та 13 QUOTE 1415 (б) від вмісту селену в
p – Bi0.5Sb1.5Te3-xSex


В результаті в твердих розчинах p – Bi0.5Sb1.5(TeSe)3 значення
·опт майже рівне
·опт розраховане для однозонної моделі (пункт 1).
На рис. 3 показано залежність 13 QUOTE 1415,
·р (а) та 13 QUOTE 1415 (б) від вмісту селена в p – Bi0.5Sb1.5Te3-xSex, побудовані для різних значень
· [9]. З малюнка видно, що при збільшення вмісту селену величина 13 QUOTE 1415 зменшується. Можливі такі причини цього зменшення: розсіяння носіїв на атоми селену і збільшення ефективної маси. Теплопровідність решітки практично не залежить від вмісту селену за виключенням зразків з великими значеннями
·. В цьому випадку спостерігається зниження
·р в твердих розчинах, які містять селен, у порівнянні з p – Bi0.5Sb1.5Te3 через дію в останньому власної провідності.
Різні впливи селену на
·р і 13 QUOTE 1415 можна пояснити,виходячи з наступними уявленнями.
Введення селену надає слабку дію на розсіяння дірок і фононів. Зниження 13 QUOTE 1415 в основному зв’язано зі зміною ефективної маси.
Через сильну дію розсіяння атомів вісмуту короткохвильові фони не беруть участь в переносі тепла. Перенос тепла здійснюється довгохвильовими фонами, на яких не впливає введення атомів селену.
Температурні залежності 13 QUOTE 1415 твердих розчинів p - (BiSb)2Te3 при температурах нижче кімнатних досліджували Чампнесс та інші [8]. В цій роботі тверді розчини різного складу вирощувалися з розплаву з однаковими надлишком телуру і, внаслідок зміщення стехіометрії в системі p - (BiSb)2Te3, мали різну концентрацію дірок. Тому з результатів [8] не можна зробити виводи про переваги донного твердого розчину при низьких температурах.
На рисунку 4 показано температурні залежності 13 QUOTE 1415 твердих розчинів р –Bi2-xSbxTe3 по даними [8].


Рис.4. Температурні залежності
13 QUOTE 1415 твердих розчинів
р –Bi2-xSbxTe3

Великі значення ефективності р –Bi0.67Sb1.33Te3 при температурах нижче 270 К пояснюється більш близькими до оптимальних значень
·.
На рис.5 показано температурні залежності 13 QUOTE 1415,
·,
·, і
· твердих розплавів n – Bi2Te2.7Se0.3 і p – Bi0.5Sb1.5Te3. При температурах нижче 13 QUOTE 1415220 оК тверді розчини p- Bi2(TeSe)3 поступаються по ефективності сплавам n – Bi0.95Sb0.05 [11]. Сплави Bi – Sb являються наполовину металами, в яких заборонена зона вкрай вузька або взагалі відсутня. В таких матеріалів концентрація електронів і дірок рівні а коефіцієнт термо. е. р. с. визначається співвідношенням.

3. Концентраційні неоднорідності в термоелектричних матеріалах

Умови вирощування термоелектричних матеріалів, такі як градієнт температур G в розплаві у фронті кристалізації та швидкість росту
·, істотно впливають на термоелектричну ефективність твердих розчинів на основі Bi2Te3. Збільшення
· і зменшення G викликає зниження z через зменшення
· і
· та росту
· в матеріалах p – типу провідності (таблиця 3.).

Таблиця 3.
Залежність властивостей термоелектричних матеріалів від умов росту
Склад 1 – BiSbTe3, 2 – Bi1.4Sb0,6Te2.8Se0,2 [1].

Склад
G,
К/см

·,
мм/хв.

·, мкВ/К

·,
(ом·см)-1

·,
zT
(при 300К)

1









2
25
25
25
25
50
50
50
250
250
250
-
-
0,9
0,42
0,21
0,053
0,22
0,053
0,013
2,5
0,48
0,072
4,2
0,42
70
141
163
178
101
173
166
138
186
182
146
176
715
827
1110
1090
655
913
800
895
1110
1320
1090
1400
20,8
16,9
15,4
14,2
18,3
12,4
13,0
17,9
14,1
14,0
17,0
15,5
0,051
0,31
0,57
0,73
0,11
0,66
0,51
0,28
0,82
0,92
0,42
0,75


Зменшення
·2
· при збільшенні швидкості росту твердих розчинів n – Bi2(TeSe)3, легованих BiCl3 та CdCl2, спостерігали Гольцман та інші [12]. При збільшенні швидкості росту n – Bi2Te2.7Se0.3 від 0.25 до 2 мм/хв. величина
·2
· зменшується на 5 – 10 %. Збільшення
· від 0.15 до 5 мм/хв. призводить до зниженню
·2
· n - Вi2Te2.4Se0.6 і n - Вi2Te2.1Se0.9 на 20 – 25%. Ці дані отримані при значенні градієнта температур G=200 – 250 К/см. Зменшення G також викликає зменшення
·2
·.
Відмітимо дві групи неоднорідностей, макронеоднорідності та мікронеоднорідності. Макронеоднорідності по довжині злитка утворюються через зміну складу розплаву під час кристалізації в результаті відтиснення компонентів твердої фази. Для того щоб уникнути макронеоднорідності в поперечному перетину злитків, отримані методом направленою кристалізації, роблять фронт кристалізації більш плоским, зменшуючи діаметр злитка або швидкості росту і підсилити осьовий градієнт температур в області кристалізації.
Мікронеоднорідності утворюються при кристалізації через концентраційного переохолодження розплаву, що приводить до нестійкості фронту кристалізації. В результаті виникає шарова структура, витягнута уздовж осі злитка.
Інша причина неоднорідностей розмірами 1 – 100 мкм в злитках, вирощених із розплаву, являється періодична зміна швидкості росту. Зміна швидкості росту викликає появу шару зі зміною складу (смугами росту). Форма шару відображає форму фронту кристалізації. При періодичній зміні швидкості росту утворюються поперечна шарообразна структура.

4. Мікронеоднорідність в термоелектричних матеріалах на основі Bi2Te3, та способи її усунення

Причина подовжній неоднорідності являється концентраційне переохолодження розплаву. Утворення концентраційного переохолодження у випадку, коли рівномірний коефіцієнт розподілу К0 домішок менше одиниці, показано на рис. 5.


Рис. 5.Схема що пояснює утворення концентраційне переохолодження.

Домішки накопичуються на фронті кристалізації, і температура ліквідусу Тл підвищується при збільшенні відстані х від фронту кристалізації. При достатньо низькому градієнті температур в розплаві і великій швидкості росту, крива Тл на фронті кристалізації може розташуватися вище кривої залежності температури розплаву Тр. Тоді розплав у фронті кристалізації являється переохолодженим. Концентраційне переохолодження приводить до нестійкості фронту кристалізації, так як ділянки фронту , що висунулися вперед, потрапляють в область великого переохолодження.
По наближеній оцінці Тіллера [13] концентраційне переохолодження виникає, якщо відношення G/
· менше критичної величини (G/
·)кр, що дорівнює

13 EMBED Equation.3 1415, (1)

де m – нахил лінії ліквідусу; С0 – концентрація домішки в основній масі розплаву; D – коефіцієнт дифузії домішки в розплаві, К0 – рівномірний коефіцієнт розподілу домішок.
Концентраційне переохолодження у Bi2Te3 викликане надлишком телуру в розплаві на фронті кристалізації. При кристалізації твердих розчинів Bi2(TeSe)3 концентраційне переохолодження викликане внаслідок сегрегації Bi2Se3. Через відносну високу концентрацію Bi2Se3 в твердих розчинах Bi2(TeSe)3, величина (G/
·)кр більша ніж для Bi2Te3. Для твердого розчину Bi2Te2.4Se0.6 величина (G/
·)кр лежить в межах (1 – 10) 105 К·с/см2.
В роботі [1] наведено значення (G/
·)кр для твердих розчинів Вi2Te2.7Se0.3, Вi2Te2.4Se0.6, Вi2Te2.1Se0.9 які лежать відповідно в межах (2-2,5)·105, (1-1,5)·106, (2-8)·106 К·с/см2.
Мікроренгеноспектральний аналіз показав що, концентраційне переохолодження може приводити до значних неоднорідностей твердих розчинів Bi2(TeSe)3. Наприклад коливання складу твердого розчину Вi2Te2.4Se0.6, зв’язано з концентраційним переохолодженням розплаву, при швидкості
·=5 мм/хв. досягають ±10 моль % Bi2Se3. При відсутності концентраційного переохолодження (
·=0.15 мм/хв.) неоднорідність концентрації твердого розчину не перевищу. ±2 моль % Bi2Se3.
Поряд з мікронеоднорідностей твердих розчинів, концентраційна неоднорідність приводить до мікронерівномірному розподілу легуючих домішок і концентрації носіїв струму. Авто - радіографічний аналіз показав, що при концентраційного переохолодженню твердого розчину Вi2Te2.4Se0.6, легований CdCl2, ділянки, об’єднанні селенідом вісмуту, збагачені хлором. Критерій неоднорідності по концентрації носіїв струму може служити коефіцієнт термо - е. р. с. в окремих точках злитку. Мікрозондові вимірювання цієї величини в Вi2Te2.4Se0.6, показали розкид
· відносно середнього значення, який дорівнює 10 – 15 % при швидкості вирощування 5 мм/хв. і 5 % при 0.15 мм/хв., причому менше значення коефіцієнта термо – е. р. с. спостерігається в шарах з пониженим вмістом селеніду вісмуту. Такому розкиду
· відповідає відхилення концентрації електронів на 25 – 45 % від середнього значення при
·=5 мм/хв. і менше ніж 10 % при
·=0.15 мм/хв. Концентрація електронів підвищена в шарах, в яких їх рухливість також підвищена. Ці шари мають понижене вміст Bi2Se3. Тому концентраційне переохолодження приводить до сильного розкиду електропровідності в Вi2Te2.4Se0.6.
Ефективність z твердого розчину Вi2Te2.4Se0.6, вирощеного зі швидкістю 5 мм/хв., знижується на 15-20% за рахунок неоднорідності матеріалу, в порівнянні з ефективністю такого ж матеріалу вирощеного при швидкості 0.15 мм/хв. Основний вклад в зниженні ефективності дають зменшення коефіцієнта термо – е. р. с. під дією вихрових струмів і збільшенню ефективної теплопровідності решітки.
Можна припустити, що присутність в неоднорідному Вi2Te2.4Se0.6 областей з пониженим вмістом селеніду вісмуту і, отже, з більш вузькою забороненою зоною, повинні підсилити вплив власної провідності на
·еф. і
·еф. при підвищених температурах. Але, як видно з рис.6, в неоднорідному Вi2Te2.4Se0.6, при швидкості вирощування 5 мм/хв., не спостерігається значного підсилення власної провідності. Це пояснюється тим що звуження забороненої зони в шарах з меншим вмістом селеніду вісмуту компенсується підвищеною концентрацією електронів.
Подовжню шару - образну неоднорідність в BiSbTe3 виявили Косгроу та інші [14]. Мікронеоднорідність в цьому твердому розчині приводила до створення областей n – типу провідності.
Койс [15] спостерігав шарообразну структуру в системі Вi1.4Sb0.6Te2.8Se0.2, вирощених методом вирощених методом вертикальної зонної плавки при швидкості 0.4 мм/хв.
При відносно невеликій швидкості вирощування, в злитках твердих розчинів на основі телуриду вісмуту і сурми, може спостерігатися інший тип мікронеоднорідності – смуги росту, що повторюють форму фронту кристалізації.


Рис. 6. Температурні залежності
· (суцільні лінії) і
· (пунктирні) твердих розчинів Вi2Te2.4Se0.6, вирощених зі швидкістю 0.15 мм/хв. (1) і 5 мм /хв. (2).

Койс [15] отримував такі смуги при вирощувані Вi1.4Sb0.6Te2.8Se0.2, методом вертикальної зонної плавки,зі швидкістю кристалізації менше 0.4 мм/хв. Гольцман та інші [1] спостерігали смуги росту в твердих розчинах Bi2(TeSe)3. Смуги росту утворюються під час росту через коливання швидкості вирощування та через недосконалі установки для вирощування (коливання потужності нагрівачів, вібрації з непостійною амплітудою).
Комаров і Регель [16] показали, що турбулентні температурні коливання зникають при зниженні градієнта температури в розплаві. Для того щоб не виникало концентраційного переохолодження, необхідно зменшити швидкість вирощування.
Гольцман та інші [1] при зонної плавки Bi2Te3-xSex (x=0.12; 0.6; 0.9) отримали амплітуду коливання температури розплаву у фронті кристалізації ~ 1 К, а період коливання 10 – 20 с. що відповідає періодичної поперечної шарообразної структури. Такі коливання температури розплаву викликають значні відхилення швидкості вирощування (на 50% від середнього значення, що рівний 0.5 мм/хв.). Амплітуда коливань збільшується в напрямку від фронту кристалізації до центра розплавленої зони. Коливання концентрації твердого розчину в злитках Bi2(TeSe)3, які містять смуги росту, не перевищує 15%. Зниження величини
·2
· під дією смуг росту, в твердих розчинах Bi2(TeSe)3 незначне.


Список використаних джерел
Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А., Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе Ві2Те3./Под редакцией Б. Я. Мойжеса. К.: Наука. Главная редакция физико-математической литературы. Москва. 1972. - 320 с.
Zener C. Trans. Amer.Soc. Metals 53. 1961. - 1052с.
Шмелев Г. И. Материалы для термоэлементов на основе трехкомпонентных интерметаллических соединений. ФТТ, 1959. т. 1. - 231 с.
Синани С.С., Гордякова Г.И. Твердые растворы Вi2Тез BiSe как материал для термоэлементов.ЖТФ, 1956. т. 26.
Твердые растворы Bi2Te3 Bi2Se3 как материал для отрицательной ветви термоэлементов / С.С. Синани, Г.Н. Гордякова, Г.В. Кокош, А.И. Шадрина. / Институт полупроводников АН СССР. 1956.
Б. М. Гольцман и др. ФТТ 12. 1970. – 1403 с.
L. R. Testardi, J. N. Bierly, F. J. Danahoe, J. Phys. Chem. Sol. 23. 1962. - 1209 с.
Champness C.H., Muir W.B., Chiang P.T.. Thermoelectric properties of n-type Bi2Te3–Bi2Se3 allois. - Canadian Journal of Physics, 1967. - 653 с.
Исследование влияния пор и границ зерен на электропроводность и теплопроводность термоэлектрических материалов / Гольцман Б.М., Саркисян В.Ш., Стильбано Л.С., Шлыков В.В. / Изв. АН СССР, Физика 4., 1969, т. 5, - 286 с.
P. Bergwall, O. Beckmann, Sol. St. Ekertronics6, 1963, - 133 с.
R. Wolf, G. Smith, Semicond. Prod. 4, 1963, - 29 с.
Б. М. Гольцман и др., ФТТ 2, 1968, - 873 с.
Тиллер В. Жидкие металлы и затвердевание, Метталургиздат, 1962, - 409 с.
McHugh J.P., Cosgrove G.J., Tiller W.A. Effect of Freezing Conditions on the Thermoelectric Properties of BiSbTe3 Crystals. J. Appl. Phys. 32, 1961, - 621 с.
Coies G. Metallurgia, 1964, - 213 с.
Комаров Т.В., Регель А. Р. ФТТ. т 5. 1963, - 773 с.








13PAGE 15


13PAGE 141815




Рисунок 1Рисунок 2Рисунок 1Root Entry

Приложенные файлы

  • doc 23790254
    Размер файла: 3 MB Загрузок: 0

Добавить комментарий