EKZAM_VOPR_TTE (2)

ЭКЗАМЕНАЦИОННЫЕ ВОПРОСЫ ПО ДИСЦИПЛИНЕ
“ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА”



Предмет и значение курса “Полупроводниковые приборы”. История развития . Классификация полупроводниковых приборов .
Электронно-дырочный переход . Принципы образования и действия .
Способы получения p-n переходов . Плавный и резкий p-n переходы .
Вольт – Амперная характеристика (ВАХ) идеализированного диода .Прямое и обратное включение.
ВАХ реального диода . Прямая и обратная ветви. Виды пробоя p-n перехода.
Полупроводниковые диоды. Классификация . Условные графические обозначения . Маркировка .
Выпрямительные диоды. ВАХ. Основные параметры. Особенности кремниевых , германиевых , арсенид- галлиевых и селеновых выпрямительных диодов.
Стабилитроны. Принцип действия . ВАХ. Основные параметры. Применение.
Стабисторы и шумовые диоды. Принцип действия . ВАХ. Основные параметры. Применение.
Емкость p-n перехода. Варикапы. Принцип действия. Основные параметры и характеристики. Применение.
Туннельные диоды. Принцип действия . ВАХ. Основные параметры. Применение.
Импульсные диоды и диоды Шоттки . Принцип действия .Особенности конструкции. Основные параметры. Применение.
СВЧ – диоды . Особенности конструкции . Смесительные диоды. Основные параметры . Применение.
Переключательные диоды и диоды с резким восстановлением обратного сопротивления. Принцип действия . Основные параметры. Применение.
Светоизлучающие диоды. Полупроводниковые лазеры. Принцип действия. Конструкция. Применение.
Биполярный транзистор . Конструкция . Принцип действия .Распределение токов . Схемы включения .
Распределение стационарных потоков носителей заряда в биполярном транзисторе.
Идеальные статические характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой . Формулы Молла – Эберса.
Реальные статические характеристики транзистора в схеме с общей базой (ОБ). Модуляция толщины базы (Эффект Эрли).
Реальные статитические характеристики транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ).
Отличие статических характеристик транзистора в схемах с ОЭ и ОБ.
Эквивалентные схемы биполярного транзистора в схемах с ОБ и ОЭ для постоянного и для переменного тока .
Статические параметры эквивалентной схемы транзистора с ОБ для переменной составляющей.
Зависимость параметров биполярных транзисторов от режима.
Зависимость параметров биполярных транзисторов от температуры.
Составные транзисторы.
Однопереходный транзистор. Принцип действия . Основные параметры и характеристики. Применение.
Полевой транзистор с управляющим p-n переходом . Принцип действия . ВАХ. Основные параметры. Применение.
Полевые транзисторы с изолированным затвором . Разновидности . Принцип действия. ВАХ. Основные параметры. Применение.
Мощные МДП – транзисторы . Особенности конструкции и разновидности. ВАХ. Основные параметры. Применение.
Достоинства и недостатки МДП – транзисторов .
Полевые транзисторы со статической индукцией (СИТ). Особенности конструкции. Принцип действия. ВАХ. Основные параметры. Достоинства и недостатки . Применение.
Биполярные транзисторы с изолированным затвором . Конструкция. Основные параметры. Достоинства и недостатки . Применение.
Тиристоры . Классификация . Принцип действия диодного тиристора. ВАХ. Основные параметры. Применение.
Трехэлектродный тиристор . Принцип действия . ВАХ . Основные параметры . Применение.
Силовые диоды и тиристоры . Статические параметры . Обозначение .
Влияние скорости нарастания прямого тока и напряжения на работу тиристора13 EMBED Equation.3 1415
Групповое соединение полупроводниковых приборов. Параллельное соединение диодов. Способы выравнивания тока.
Групповое соединение полупроводниковых приборов. Параллельное соединение биполярных, полевых транзисторов и биполярных транзисторов с изолированным затвором.
Групповое соединение полупроводниковых приборов. Последовательное соединение диодов. Способы выравнивания напряжения в статическом и динамическом режиме.
Особенности группового соединения тиристоров и транзисторов.
Цепь управления тиристором . Характеристики управляющего электрода . Влияние параметров управляющих импульсов на работу тиристора.
Симметричные тиристоры. Принцип действия. ВАХ. Основные параметры. Применение.
Регулирование переменного напряжения с помощью тиристоров и симисторов .
Потери в силовых вентилях . Расчет температуры структуры методом наложения .
Установившееся и переходное тепловой сопротивление .Зависимость теплового сопротивления от интенсивности охлаждения.
Полупроводниковые резисторы . Разновидности . Основные параметры и характеристики . Применение.







Приложенные файлы

  • doc 23762703
    Размер файла: 31 kB Загрузок: 0

Добавить комментарий